Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Жидкометаллический полевой источник электронов на основе пористого GaP, "Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Масалов С.А.1
  • Попов Е.О.2
  • Колосько А.Г.3
  • Филиппов С.В.4
  • Улин В.П.5
  • Евтихиев В.П.6
  • Атращенко А.В.7
стр. 1416-1422
Платно
1 Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской Академии наук, Москва, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 4 ФГБУ науки Институт земного магнетизма, ионосферы и распространения радиоволн им. Н.В. Пушкова РАН, г. Троицк (Московская обл.), 5 Физико-технический институт им. Иоффе РАН, 6 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 7 Университет ИТМО
Аннотация:
Представлен новый способ создания жидкометаллического полевого эмиттера. Обработка пористого кристалла бинарного полупроводникового соединения GaP импульсами высокого напряжения в вакууме позволила получить на его поверхности устойчивые структуры в виде дискретных кластеров галлия. Данные структуры показали хорошие эмиссионные свойства: стабильные токи на уровне нескольких микроампер, а также достаточно высокую равномерность распределения эмиссионных наноцентров по поверхности.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.