Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. I. Фотолюминесцентные свойства, "Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Дорохин М.В.1
  • Здоровейщев А.В.2
  • Малышева Е.И.3
  • Данилов Ю.А.4
стр. 1389-1394
Платно
1 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета имени Н.И. Лобачевского, 2 Нижегородский государственный университет имени Н.И. Лобачевского, 3 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, проспект Гагарина, 23, корп. 3, 603950 Нижний Новгород, Россия, 4 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета имени Н.И. Лобачевского
Аннотация:
Исследованы оптические свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs, легированными атомами марганца или хрома в процессе выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии. Комбинированные измерения топографии поверхности и спектров люминесценции показали возможность управления спектральными характеристиками структур за счет изменения условий формирования и размеров квантовых точек в присутствии атомов примеси. Результаты объясняются особенностями формирования нанокластеров InAs на поверхности GaAs в присутствии атомов Mn или Cr.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.