Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Спин-туннельные магниторезистивные элементы на основе многослойных наноструктур, "Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Амеличев В.В.1
  • Беляков П.А.2
  • Васильев Д.В.3
  • Жуков Д.А.4
  • Казаков Ю.В.5
  • Костюк Д.В.6
  • Орлов Е.П.7
  • Касаткин С.И.8
  • Крикунов А.И.9
стр. 1268-1270
Платно
1 Научно-производственный комплекс, Технологический центр, 2 Научно-производственный комплекс „Технологический центр“ МИЭТ, 3 НПК “Технологический центр” Россия, 124498, Москва, Зеленоград, проезд 4806, 5, 4 Институт физиологии им. И.П. Павлова РАН, 5 Научно-производственный комплекс „Технологический центр“ МИЭТ, 6 Научно-производственный комплекс, Технологический центр, 7 НПК “Технологический центр” Россия, 124498, Москва, Зеленоград, проезд 4806, 5, 8 Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН, 9 ООО НПК „Фотрон-Авто“
Аннотация:
Представлены результаты исследования характеристик спин-туннельных магниторезистивных (СТМР) элементов, сформированных на основе многослойных наноструктур масочным методом. Экспериментально получены параметры магнитного отжига СТМР элементов, которые показывают возможности повышения величины магниторезистивного эффекта в 4-5 раз и более. Исследованы тестовые образцы СТМР элементов, обладающие величиной гигантского магниторезистивного эффекта до 50% и сопротивлением 30-35 kQ, в отсутствие магнитного поля.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.  

 

* - цена актуальна только для физических лиц
В т.ч. НДС 20%