Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Влияние нейтронного облучения на травление SiC в расплаве КОН (15), "Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Mokhov E.N.1
  • Казарова О.П.2
  • Soltamov V.A.3
  • Нагалюк С.С.4
стр. 1104-1106
Платно
1 Ioffe Institute, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 3 Ioffe Institute, 4 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
  • SDI: 007.001.0044-4642.2017.087.007.24
Аннотация:
Исследовано влияние облучения реакторными нейтронами на скорость травления кристаллов карбида кремния в расплаве щелочи гидроксида калия. Показано, что при высоких дозах облучения (10 -10 cm) скорость травления карбида кремния резко возрастала, особенно в направлении [0001] Si, приводя к существенному уменьшению ориентационной анизотропии травления полярных граней. Повышенная скорость травления облученных кристаллов сохраняется после высокотемпературного отжига, вплоть до температур 1200-1400° C. Результаты объяснены присутствием в кристаллах высокой концентрации радиационных дефектов, частично находящихся в виде кластеров.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.