Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Влияние высоты барьера затвор-канал на характеристики детектирования полевого транзистора в сверхвысокочастотном и терагерцовом диапазонах, "Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Королев С.А.1
  • Востоков Н.В.2
  • Дьяконова Н.В.3
  • Шашкин В.И.4
стр. 746-753
Платно
1 Институт динамики геосфер Российской Академии наук, Москва, 2 Институт физики микроструктур РАН; Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 3 Universit ?e Montpellier , 4 Институт физики микроструктур РАН; Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
  • SDI: 007.001.0044-4642.2017.087.005.16
Аннотация:
Теоретически исследованы детектирующие свойства полевого транзистора с пониженной высотой барьера Шоттки затвора. Рассмотрены различные схемы детектора. Найдены распределения напряжения и тока вдоль канала, входной импеданс транзистора, чувствительность и мощность эквивалентная шуму (NEP). Проанализировано влияние высоты барьера Шоттки затвора на перечисленные характеристики

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.