Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Мощный полупроводниковый обостритель импульсов с субнаносекундным быстродействием, "Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Грехов И.В.1
  • Люблинский А.Г.2
  • Юсупова Ш.А.3
стр. 793-796
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Россия, 194021, С.-Петербург, Политехническая ул., 26, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
  • SDI: 007.001.0044-4642.2017.087.005.26
Аннотация:
Сверхбыстрое - субнаносекундное переключение высоковольтного диодного обострителя импульсов из блокирующего в проводящее состояние производится путем приложения к нему импульса перенапряжения со скоростью нарастания ~ 10V/s в блокирующем направлении. Образующийся при этом ударноионизационный фронт производит заполнение электронно-дырочной плазмой базовой области диода, переводя его в проводящее состояние. При этом принципиально важно предотвратить возможность пробоя по поверхности диодной структуры при перенапряжении. В работе представлены первые результаты исследования принципиально новой конструкции диодного обострителя импульсов, позволяющей полностью исключить деградацию краевого контура при импульсном перенапряжении. Проведенные эксперименты подтвердили работоспособность этой конструкции и перспективность работ по выяснению ее предельных возможностей.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.