Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Моделирование динамики резистивной шланговой неустойчивости релятивистского электронного пучка, распространяющегося в омическом плазменном канале произвольной проводимости (12), "Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Колесников Е.К.1
  • Мануйлов А.С.2
  • Петров В.С.3
стр. 1718-1721
Платно
1 Санкт-Петербургский государственный университет, 2 Санкт-Петербургский государственный университет, 3 Северо-Кавказский зональный научно-исследовательский институт садоводства и виноградарства
Аннотация:
Исследована пространственная динамика резистивной шланговой неустойчивости релятивистского электронного пучка в случаях, когда время зарядовой нейтрализации много больше, порядка и много меньше времени токовой компенсации. Получено, что наибольшим пространственным инкрементом нарастания указанная неустойчивость обладает в случае, когда время зарядовой нейтрализации порядка скинового времени.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.