Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ СБОРКА ГРАФЕНА НА ГРАНИ (0001) КАРБИДА КРЕМНИЯ: МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОЛУЭМПИРИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ, "Журнал физической химии"»

Авторы:
  • Алексеев Н.И.1
  • Кальнин А.А.2
  • Карманов Д.Д.3
  • Лучинин В.В.4
  • Тарасов С.А.5
  • Чарыков Н.А.6
стр. 1761-
Платно
1 Санкт-Петербургский электротехнический университет “ЛЭТИ”, 2 Санкт-Петербургский электротехнический университет “ЛЭТИ”, 3 Санкт-Петербургский электротехнический университет “ЛЭТИ”, 4 Санкт-Петербургский электротехнический университет “ЛЭТИ”, 5 Санкт-Петербургский электротехнический университет “ЛЭТИ”, 6 Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)
Аннотация:
Проведено моделирование эпитаксиального роста графена на кремниевой грани (0001) карбида кремния с использованием полуэмпирических методов квантовой химии. С помощью моделирования сформулированы экспериментальные условия эпитаксиального выращивания графена на SiC, при которых вероятность возникновения швов и т.п. дефектов была бы сведена к минимуму. В качестве теста на эффективность подхода исследованы возможные пути возникновения реконструкций сингулярных углеродной и кремниевой граней SiC в процессе синтеза графенов. Отмечено, что моделирование воспроизводит периоды реконструкции, известные из эксперимента для обеих граней, а также оценивает наиболее вероятные расположения атомов в тех случаях, когда экспериментальная формула надструктуры допускает различные варианты такого расположения.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.