Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «РЕНТГЕНОВСКИЕ ДЕФОРМАЦИИ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКИ В СЛУЧАЕ ПРОИЗВОЛЬНОЙ ОРИЕНТАЦИИ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА, "Известия Российской академии наук. Серия физическая"»

Авторы:
  • Труханов Е.М.1
  • Ильин А.С.2
  • Колесников А.В.3
  • Лошкарев И.Д.4
стр. 1249-
Платно
1 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, 2 Учреждение Российской академии наук Институт Физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, 3 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, 4 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Аннотация:
Для эпитаксиальной пленки, находящейся в однородном плосконапряженном состоянии и имеющей произвольную ориентацию границы раздела, развита методика определения рентгеновских деформаций <img src="/ItemImages/1141982/20280510/FO_1_1.gif" align=absmiddle border=0> <sub><img src="/ItemImages/1141982/20280510/FO_1_2.gif" align=absmiddle border=0> </sub> и <img src="/ItemImages/1141982/20280510/FO_2_1.gif" align=absmiddle border=0> <sub>||</sub>. Их измерение выполнено на основе кривых дифракционного отражения, которые могут быть записаны как от одной, так и от двух различных наклонных атомных плоскостей. Исследована опытная структура GeSi/Si (111).

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.