Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ПОГЛОЩЕНИЕ И ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ТРОЙНЫХ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СИСТЕМ Ge?S?Ga(In), "Известия Российской академии наук. Серия физическая"»

Авторы:
  • Бабаев А.А.1
  • Кудоярова В.Х.2
стр. 1222-
Платно
1 Институт физики имени Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала., 2 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт Петербург.
Аннотация:
Исследованы спектры фотолюминесценции (ФЛ), спектры возбуждения люминесценции, краевое поглощение, ИК-поглощение стеклообразных полупроводниковых систем Ge?S?Ga(In). Наблюдаемые сдвиги края оптического поглощения, спектра ФЛ (уменьшение полуширины спектра и спектра возбуждения люминесценции) в область меньших энергий при введении Ga или In в бинарные системы Ge?S связаны с тем, что Ga или In имеют тенденцию взаимодействовать с серой, а не с германием. С ростом содержания Ga(In) в системе, мода, ответственная за колебания связи Ge?S в спектрах ИК-поглощения уменьшается.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.