Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА БИМОДАЛЬНЫХ МАССИВОВ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК InAs/GaAs, ВЫРАЩЕННЫХ ГАЗОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИЕЙ, "Известия Российской академии наук. Серия физическая"»

Авторы:
  • Горшков А.П.1
  • Волкова Н.С.2
  • Карпович И.А.3
  • Здоровейщев А.В.4
  • Полова И.А.5
стр. 61-
Платно
1 Нижегородский государственный университет имени Н.И. Лобачевского, 2 Нижегородский государственный университет имени Н.И. Лобачевского, 3 Нижегородский государственный университет имени Н.И. Лобачевского, 4 Нижегородский государственный университет имени Н.И. Лобачевского, 5 Нижегородский государственный университет имени Н.И. Лобачевского
Аннотация:
Показано, что исследование формы фотоэлектрического спектра от квантовых точек InAs/GaAs и его температурной зависимости позволяет выявлять образование бимодальных массивов квантовых точек.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.