Статья «„Отрицательная“ щель в спектре локализованных состояний (InO)(SrO), "Физика твердого тела"»

Исследованы спектры отражения Я(Ню), пропускания t (Ню), поглощения а (Ню) и преломления п(Ню) поликристаллических образцов InO-SrO с низкой оптической прозрачностью, содержащих кристаллиты InO и InSrO с прослойками InSrO+. В области малых Ню коэффициент отражения уменьшается с ростом сопротивления образцов при их насыщении кислородом. С помощью соотношений классической электродинамики рассчитаны спектральные зависимости п(Ню) и а (Ню). Результаты сопоставлены с данными, полученными на основе спектров t(Ню). Расчетные спектры поглощения интерпретируются в рамках модели, предполагающей перекрытие хвостов плотности состояний валентной зоны и зоны проводимости с образованием „отрицательной“ щели в плотности состояний, E = -0.12-0.47eV, при сильном разупорядочении структуры образцов. Показано, что, наряду с высокой концентрацией дефектов, важнейшую роль в размытии края поглощения и сдвиге его в область малых энергий играет зона глубоких акцепторных состояний стронция в основной матричной фазе InO. Определена прямая щель E = 1.3eV, относящаяся к фазе InSrO. Обсуждается зонная энергетическая диаграмма и роль туннелирования, снижающего пороговую энергию для межзонных оптических переходов.