Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Линейно-циркулярный дихроизм в полупроводнике со сложной валентной зоной с учетом четырехфотонного поглощения света, "Физика твердого тела"»

Авторы:
  • Расулов Р.Я.1
  • Расулов В.Р.2
  • Эшболтаев И.М.3
стр. 453-457
Платно
1 Ферганский государственный университет, 2 Ферганский государственный университет, 3 Ферганский государственный университет
Аннотация:
Теоретически исследован линейно-циркулярный дихроизм многофотонного поглощения света в полупроводниках со сложной валентной зоной. Рассчитаны матричные элементы оптических переходов, протекающих между подзонами валентной зоны полупроводника типа p-GaAs. При этом учтены переходы, связанные как с неодновременным поглощением отдельных фотонов, так и одновременным поглощением двух фотонов. Получено выражение для температурной зависимости коэффициента многофотонного поглощения поляризованного излучения, где учтены оптические переходы между подзонами тяжелых и легких дырок полупроводника.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.