Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Исследование валентного перехода в системе О-Yb-Si(111) с помощью метода фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением, "Физика твердого тела"»

Авторы:
  • Кузьмин М.В.1
  • Митцев М.А.2
стр. 2032-2036
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Аннотация:
С помощью метода фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением проведены исследования структур Yb-Si( 111) и O-Yb-Si( 111) и получены данные о распределение двух- и трехвалентных ионов в нанопленках иттербия в случае, когда адсорбированный слой молекул на их поверхности еще не полностью сформирован и валентный переход Yb ? Yb не завершен. Показано, что распределение ионов Yb и Yb вглубь нанопленок близко к изотропному и что его протяженность составляет 9 или более монослоев. Полученные результаты свидетельствуют о том, что в формировании 5й-зоны иттербия, стимулированном адсорбированными молекулами, участвуют все атомы нанопленки, подтверждая предположения, сделанные в более ранних публикациях.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.