Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «КУБИЧЕСКАЯ ТЕКСТУРА РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ В ТРЕХСЛОЙНЫХ ЛЕНТАХ-ПОДЛОЖКАХ ИЗ НИКЕЛЕВЫХ СПЛАВОВ Ni?4.8 ат. % W/Ni?11 ат. % Cr/Ni?4.8 ат. % W, "Физика металлов и металловедение"»

Авторы:
  • Родионов Д.П.1
  • Гервасьева И.В.2
  • Хлебникова Ю.В.3
  • Казанцев В.А.4
  • Егорова Л.Ю.5
стр. 831-
Платно
1 Институт физики металлов УрО РАН, 620990 Екатеринбург, ул. С. Ковалевской, 18, 2 Институт физики металлов УрО РАН, 620990 Екатеринбург, ул. С. Ковалевской, 18, 3 Институт физики металлов УрО РАН, 620990 Екатеринбург, ул. С. Ковалевской, 18, 4 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург., 5 Институт физики металлов УрО РАН, 620990 Екатеринбург, ул. С. Ковалевской, 18
Аннотация:
Изучены процессы формирования текстуры рекристаллизации в трехслойной композитной Ni?4.8 ат. % W/Ni?11 ат. % Cr/Ni?4.8 ат. % W ленте после холодной деформации прокаткой со степенями 98.4?99.3% и последующего высокотемпературного отжига. Установлено, что композитная лента может быть использована в качестве подложки при создании ленточных высокотемпературных сверхпроводников второго поколения. Проведенная оценка магнитных свойств показала, что отожженная композитная лента имеет меньшую удельную намагниченность при рабочих температурах высокотемпературного сверхпроводника, чем широко используемая в настоящее время в промышленности лента из сплава Ni?5 ат. % W.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.  

 

* - цена актуальна только для физических лиц
В т.ч. НДС 20%