Статья «О САМОДИФФУЗИИ В ЖЕЛЕЗЕ ПРИ СИЛЬНОМ СЖАТИИ КРИСТАЛЛА, "Физика металлов и металловедение"»

Рассчитаны зависимости параметров образования вакансий и самодиффузии от величины сжатия кристалла железа вдоль изотерм 300 и 3000 K. Показано, что в области: 1 > V/V₀ > (V/V₀)_min происходит подавление активационных процессов при изотермическом сжатии, и их усиление при изохорическом нагреве. Здесь V/V₀ ? отношение молярных объемов кристалла при давлении P и температуре T, и при P = 0 и T = 0 K. Но при V/V₀ = (V/V₀)_min = 0.0548 вероятность образования вакансии и коэффициент самодиффузии достигают минимума, а при дальнейшем изотермическом сжатии происходит усиление активационных процессов, причем здесь активационные параметры не зависят от температуры. Указано, что это обусловлено квантовым подбарьерным туннелированием атомов по объему кристалла. Показано, что при V/V₀ < (V/V₀)_fr поверхностная энергия имеет отрицательное значение, что должно стимулировать процесс фрагментации кристалла, причем: (V/V₀)_fr > (V/V₀)_min. Оценена изотермическая зависимость давления в ОЦК-железе при его сжатии до V/V₀ = 0.001. На основе полученных изотерм оценены давления в характерных точках барических зависимостей параметров самодиффузии и поверхностной энергии.