Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Сенсор электрического поля на основе двойной квантовой точки в микрорезонаторе, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Цуканов А.В.1
  • Чекмачев В.Г.2
  • Смирнов А.Н.3
стр. 1249-1256
Платно
1 Южный научный центр Российской академии наук, 2 Физико-технологический институт Российской АН, 117218, Москва, Нахимовский проспект, 34, 3 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Биологический факультет
Аннотация:
Приведена схема оптического квантового сенсора внешнего электрического поля на основе двойной квантовой точки, помещенной в высокодобротный полупроводниковый микрорезистор. Разработана модель динамических процессов, происходящих в данной системе, исследованы ее спектральные характеристики, а также проведено изучение шумовой устойчивости сенсора. Показано, что благодаря особенностям дизайна подобное устройство обладает некоторыми преимуществами, такими, как высокая чувствительность, наличие различных каналов для возбуждения и измерения, возможность точного определения пространственного распределения поля.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.