Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Прыжковая проводимость и диэлектрическая релаксация в барьерах Шоттки на основе GaN, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Бочкарева Н.И.1
  • Вороненков В.В.2
  • Горбунов Р.И.3
  • Вирко М.В.4
  • Коготков В.С.5
  • Леонидов А.А.6
  • Воронцов-Вельяминов П.Н.7
  • Шеремет И.А.8
  • Шретер Ю.Г.9
стр. 1235-1242
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 4 Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 5 Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 6 Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 7 Санкт-Петербургский государственный университет. Физический факультет 198504 Санкт-Петербург, Ст. Петергоф, ул. Ульяновская, 1, 8 Финансовый университет при правительстве Российской Федерации, 9 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Аннотация:
Представлены результаты исследования зависимостей тока и емкости от прямого смещения диодов Шоттки Au/n-GaN, а также спектров подзонного оптического поглощения и дефектной фотолюминесценции объемных кристаллов и тонких слоев n-GaN. Показано, что туннелирование с участием дефектов является доминирующим механизмом транспорта при прямых смещениях контактов Шоттки на n-GaN. Зависимости тока и емкости от прямого смещения отражают энергетический спектр дефектов в запрещенной зоне n-GaN: рост с энергией плотности глубоких состояний, ответственных за желтую фотолюминесценцию в GaN, и резкий экспоненциальный хвост состояний с урбаховской энергией E = 50мэВ вблизи края зоны проводимости. Уменьшение частоты перескоков электронов вблизи интерфейса Au/n-GaN приводит к широкому распределению локальных времен диэлектрической релаксации и изменению распределения электрического поля в области пространственного заряда при прямых смещениях.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.