Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Оптические свойства метаморфной гибридной гетероструктуры вертикально излучающего лазера спектрального диапазона 1300 нм, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Бабичев А.В.
  • Крыжановская Н.В.1
  • Моисеев Е.И.2
  • Гладышев А.Г.3
  • Карачинский Л.Я.4
  • НОВИКОВ И. И.
  • Блохин С.А.5
  • Бобров М.А.6
  • Задиранов Ю. М.7
  • Трошков С.И.8
  • Егоров A.Ю.9
  • Оганесян Г.А.10
стр. 1176-1181
Платно
1 Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 2 119991 Москва, Ленинские горы, ВМК МГУ, 3 ООО „Коннектор Оптикс“, 4 Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики; ООО „Коннектор Оптикс“; Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 5 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 6 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 7 Физико-технический институт им. Иоффе РАН, 8 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 9 Научно-исследовательский институт гриппа Министерства здравоохранения Российской Федерации, Санкт-Петербург, 197376, 10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт эволюционной физиологии и биохимии имени И.М. Сеченова РАН
Аннотация:
Продемонстрирована возможность формирования гибридных метаморфных гетероструктур вертикально излучающих лазеров (ВИЛ) спектрального диапазона 1300 нм. Метаморфная полупроводниковая часть гетероструктуры с распределенным брэгговским отражателем на основе пары GaAs/AlGaAs и активной областью на основе квантовых ям InAlGaAs/InGaAs выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке GaAs(100). Верхнее диэлектрическое зеркало с распределенным брэгговским отражателем сформировано на основе пары SiO2/Ta2O5 методом магнетронного распыления. Проведено изучение спектров микрофотолюминесценции гетероструктур вертикально излучающих лазеров при комнатной температуре в диапазоне мощностей 0-70мВт (длина волны оптической накачки составила 532нм, диаметр сфокусированного пучка ~ 1 мкм). Наличие сверхлинейного хода зависимости интенсивности фотолюминесценции от мощности накачки наряду с заужением полуширины пиков фотолюминесценции и изменением модового состава могут быть обусловлены лазерной генерацией гетероструктуры вертикально излучающих лазеров. Полученные результаты свидетельствуют о возможности использования технологии метаморфного роста гетероструктур на подложках GaAs для создания вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 нм.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.