Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Формирование низкоразмерных структур в гетеросистеме InSb/AlAs, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Абрамкин Д.С.1
  • Бакаров А.К.2
  • Putyato M.A.3
  • Emelyanov E.A.4
  • Колотовкина Д.А.5
  • Гутаковский А.К.6
  • Шамирзаев Т.С.7
стр. 1282-1288
Платно
1 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН; Новосибирский государственный университет, 2 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 3 Institute of Semiconductor Physics, 4 Institute of Semiconductor Physics, 5 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН; Новосибирский государственный университет, 6 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН; Новосибирский государственный университет, 7 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН; Новосибирский государственный университет; Уральский федеральный университет
Аннотация:
Низкоразмерные гетероструктуры с квантовыми ямами и наноостровками, формируемые методом молекулярно-лучевой эпитаксии в системе InSb/AlAs, исследованы с помощью просвечивающей электронной микроскопии и спектроскопии стационарной фотолюминесценции. Структуры выращивались в режимах: поочередного осаждения In и Sb, так называемой атомно-слоевой эпитаксии, и одновременного осаждения материалов (традиционный режим молекулярно-лучевой эпитаксии). В обоих режимах при номинальном количестве осажденного материала в 1 монослой формируются крупные (200 нм- 1 мкм) дефектные островки, расположенные на слое InAl_ Sb-уAs_ квантовой ямы. В гетероструктурах, выращенных в режиме атомно-слоевой эпитаксии, островки окружены кольцевыми массивами значительно более мелких (~ 10нм) когерентно напряженных островков, так же состоящих из InAl_Sb-уAs_. Состав твердого раствора определяется перемешиванием материалов V группы на стадии осаждения InSb и перемешиванием материалов вследствие сегрегации атомов In и Sb при заращивании слоя InSb арсенидом алюминия.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.