Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Мнацаканов Т.Т.1
  • Тандоев А.Г.2
  • Левинштейн М.Е.3
  • Юрков С.Н.4
  • Palmour J.W.5
стр. 1125-1130
Платно
1 Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, , 2 Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, , 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 4 Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, , 5 Wolfspeed, A Cree company
Аннотация:
Получено аналитическое выражение для вольт-амперной характеристики диода Шоттки при высоком уровне инжекции неосновных носителей заряда. Вплоть до самых высоких значений плотности тока падение напряжения на диоде тем больше, чем выше уровень легирования базы. Проанализирован физический механизм, обусловливающий возникновение этого парадоксального“ результата. Численный расчет с помощью программы, учитывающей полную совокупность нелинейных эффектов, обусловленных высоким уровнем инжекции в базовом слое и сильным легированием эмиттерной области, подтверждает справедливость полученного аналитического результата.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.