Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Термоэлектрические свойства твердого раствора MgGeSn р-типа проводимости, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Исаченко Г.Н.1
  • Самунин А.Ю.2
  • Зайцев В.К.3
  • Гуриева Е.А.4
  • Константинов П.П.5
стр. 1048-1051
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук; Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, 4 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 5 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Аннотация:
Исследованы термоэлектрические свойства твердого раствора MgGeSn, легированного Ga и Li. Получены образцы с концентрацией дырок до 5 • 10 см. Измерены температурные зависимости термоэдс, электропроводности и теплопроводности от комнатной температуры до 800 K. Наблюдается более высокая подвижность свободных носителей на образцах, легированных литием, чем в образцах с галлием. Максимальная безразмерная термоэлектрическая добротность на исследованных образцах составила 0.42 при 700 K.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.