Статья «Распространение потока носителей заряда в тонком слое плоскопараллельной твердотельной структуры с учетом рассеяния на границах слоя, "Физика и техника полупроводников"»

Строение границ тонкого слоя плоскопараллельной твердотельной структуры влияет на распространение дифференциальных потоков носителей заряда в толще слоя и сквозь него. Рассеяние этих потоков на границах тонкого слоя влияет и на функцию распределения носителей заряда. Это рассеяние корректно учтено в интегральных граничных условиях для дифференциальных потоков к кинетическому уравнению. Для плоскопараллельного слоя кинетическое уравнение в приближении времени релаксации сведено к удобной форме, описывающей распространение дифференциальных потоков в толще слоя. В общем виде получено решение задачи о распространении дифференциальных потоков носителей заряда в слое структуры. Проведен анализ решения для толстых и тонких слоев разного типа - металла, диэлектрика, полупроводника. Определены востребованные практикой задачи, в которых можно продуктивно использовать 1096 полученные решения