Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Примесные уровни в кристаллах HgInTe, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Чупыра С.М.1
  • Грушка О.Г.2
  • Биличук С.В.3
стр. 1085-1087
Платно
1 Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, 2 Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, 3 Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича
Аннотация:
Исследованы параметры примесных уровней в образцах HgInTe, при использовании температурных зависимостей концентрации электронов n(T) и энергии Ферми E(T), полученных по данным коэффициента Холла R(T) и термоэдс a(T). Приведенный дифференциальный анализ зависимостей n(T) показал, что изменяя степень компенсации с помощью термообработки образцов, можно зафиксировать более широкий спектр примесных уровней в запрещенной зоне Hg3In2Te6.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.