Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Тензосопротивление и^е разной кристаллографической ориентации при наличии классически сильного магнитного поля и без него, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Гайдар Г.П.1
  • Баранский П.И.2
стр. 975-980
Платно
1 Институт ядерных исследований Национальной академии наук Украины, 2 Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины
  • SDI: 007.001.0015-3222.2017.051.007.30
Аннотация:
Экспериментально и теоретически исследованы изменения тензосопротивления, тензомагнето- и магнетотензосопротивления в широких диапазонах напряженностей магнитного поля, 0 < H < 100 кЭ, и механических напряжений, 0 < X < 0.7 ГПа, при 77 K в условиях невырожденной статистики электронного газа в кристаллах n-Ge разной кристаллографической ориентации.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.