Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Рост внутренних оптических потерь с увеличением тока накачки и выходная мощность лазеров на квантовых ямах, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Соколова З.Н.1
  • Веселов Д.А.2
  • Пихтин Н.А.3
  • Тарасов И.С.4
  • Асрян Л.В.5
стр. 998-1003
Платно
1 Virginia Polytechnic Institute and State University, 2 Virginia Polytechnic Institute and State University, 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 4 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, 5 Virginia Polytechnic Institute and State University
  • SDI: 007.001.0015-3222.2017.051.007.34
Аннотация:
Представлены результаты расчетов рабочих характеристик полупроводниковых лазеров на квантовых ямах с учетом роста внутренних оптических потерь в волноводной области с увеличением тока накачки. Использовано условие глобальной электронейтральности в структуре, которое заключается в равенстве суммарного заряда электронов в активной и волноводной областях суммарному заряду дырок в этих двух областях. Получено хорошее согласие измеренной и рассчитанной ватт-амперных характеристик.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.