Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Влияние интеркалированного водорода на электронное состояние квазисвободного графена на подложке SiC, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Давыдов С.Ю.1
  • Смирнов А.Н.2
стр. 671-675
Платно
1 Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева, Москва, 2 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Биологический факультет
Аннотация:
Для оценки роли интеркалированного водорода в допировании квазисвободного эпитаксиального графена рассмотрены две системы: (i) графен-Nff-SiC{0001} и (ii) графен-монослой водорода-Nff-SiC{0001}, где N = 4, 6. В случае (i) смещение точки Дирака эпитаксиального графена вызывается электростатическим полем спонтанной поляризации подложки, в случае (ii) - полем двойного электрического слоя, возникающего вследствие адсорбции атомов водорода. Показано, что во втором случае по сравнению с первым концентрация дырок в графене увеличивается, а концентрация электронов уменьшается, что соответствует имеющимся экспериментальным данным.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.