Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Причина расхождения экспериментальных значений высоты барьера на контакте металл-полупроводник, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Аскеров Ш.Г.1
  • Абдуллаева Л.К.2
  • Гасанов М.Г.3
  • Шаронова Л.В.
стр. 620-622
Платно
1 Бакинский государственный университет, НИИ проблем физики, 2 Бакинский государственный университет, НИИ проблем физики, 3 Бакинский государственный университет, НИИ проблем физики
Аннотация:
Сделана попытка объяснить причину расхождения высоты барьера для одного и того же контакта металл-полупроводник в работах различных авторов. Предполагалось, что эта проблема в основном связана со структурной неоднородностью металла, в результате чего контакт становится параллельным соединением многочисленных субконтактов, имеющих различные параметры. Для выявления влияния неоднородности металла на свойства контакта исследована зависимость высоты барьера диодов Шоттки от площади контакта. Предполагалось, что в случае контакта монокристаллического полупроводника с поликристаллическим металлом с ростом площади растут степень неоднородности и соответственно число субконтактов.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.