Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Пикосекундная релаксация перенормировки запрещенной зоны GaAs, вызванной кулоновским взаимодействием носителей заряда, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Агеева Н.Н.1
  • Броневой И.Л.2
  • Забегаев Д.Н.3
  • Кривоносов А.Н.4
  • Оганесян Г.А.5
стр. 594-599
Платно
1 Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук, 2 Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук, 3 Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук, 4 Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук, 5 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт эволюционной физиологии и биохимии имени И.М. Сеченова РАН
Аннотация:
Экспериментально исследовалась динамика длинноволнового края спектра собственного стимулированного пикосекундного излучения, возникающего во время пикосекундной накачки GaAs. Обнаружен дефицит перенормировки запрещенной зоны, вызванной кулоновским взаимодействием носителей заряда, по сравнению с перенормировкой в квазистационарном состоянии. Предполагается, что дефицит обусловлен тем, что в условиях настоящего эксперимента время релаксации перенормировки относится к пикосекундному диапазону.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.