Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Отрицательный отжиг в кремнии при высоковольтной имплантации натрия, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Король В.М.1
  • Заставной А.В.2
  • Kudriavtsev Y.3
  • Asomoza R.4
  • Оганесян Г.А.5
стр. 579-584
Платно
1 Научно-исследовательский институт физики Южного федерального университета, 344090 Ростов-на-Дону, Россия, 2 Научно-исследовательский институт физики Южного федерального университета, 344090 Ростов-на-Дону, Россия, 3 Cinvestav-IPN, 4 Cinvestav-IPN, 5 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт эволюционной физиологии и биохимии имени И.М. Сеченова РАН
Аннотация:
Имплантация натрия (300кэВ) проводилась в высокоомный p-Si. Отжиг дефектов при T = 350-450°С и связанная с ним активация атомов, проходящая на „хвосте" их распределения, описывается реакцией первого порядка. При r = 450-525° С независимо от дозы наблюдается отрицательный отжиг, сопровождаемый значительным ростом поверхностного сопротивления p . По оценкам энергия активации этого процесса составляет ~ 2эВ. По мнению авторов, отжиг связан с преципитацией донорных атомов натрия, проходящей на глубине, в 2-3 раза большей пробега R. Отжиг дефектов при T = 525-700°С, приводящий к дальнейшему уменьшению p , имеет энергию активации ~ 2ЛэВ. Проверялась гипотеза образования „хвоста" в измеренных вторичной ионной масс-спектрометрией (secondary ion mass spectroscopy, SIMS) профилях атомов натрия, состоящая в диффузии их со стенок кратера к его центру. Показано, что данный процесс не реализуется, поскольку измеренные при комнатной температуре и при - i40°C профили атомов натрия не различаются.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.