Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «О фотопроводимости TlInSe, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Исмайлов Н.Д.1
  • Абилов Ч.И.2
  • Гасанова М.С.3
  • Оганесян Г.А.4
стр. 663-666
Платно
1 Азербайджанский технический университет, 2 Азербайджанский технический университет, 3 Азербайджанский технический университет, 4 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт эволюционной физиологии и биохимии имени И.М. Сеченова РАН
Аннотация:
Исследованы вольт-амперные, люксамперные характеристики и кинетика релаксации фотопроводимости монокристаллов TlInSe. Наблюдаемые аномально большие времена релаксации, ? ? 10 с, и другие особенности фотопроводимости объясняются по барьерной теории неоднородных полупроводников. Определена высота дрейфового E ? 0.1 эВ и рекомбинационного E ? 0.45 эВ барьеров.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.