Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Silicon nanowire array architecture for heterojunction electronics, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Solovan M.M.1
  • Брус В.В.2
  • Mostovyi A.I.3
  • Марьянчук П.Д.4
  • Orletskyi I.G.5
  • Kovaliuk T.T.6
  • Абашин С.Л.7
стр. 569-569
Платно
1 Department of Electronics and Energy Engeneering, Chernivtsi National University, 2 Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Украина, 3 Department of Electronics and Energy Engeneering, Chernivtsi National University, 4 Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Украина, 5 Department of Electronics and Energy Engeneering, Chernivtsi National University, 6 Department of Electronics and Energy Engeneering, Chernivtsi National University, 7 Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского “Харьковский авиационный институт”, Украина
Аннотация:
Photosensitive nanostructured heterojunctions и-TiN/p-Si were fabricated by means of titanium nitride thin films deposition (и-type conductivity) by the DC reactive magnetron sputtering onto nanostructured single crystal substrates of p-type Si (100). The temperature dependencies of the height of the potential barrier and series resistance of the и-TiN/p-Si heterojunctions were investigated. The dominant current transport mechanisms through the heterojunctions under investigation were determined at forward and reverse bias. The heterojunctions under investigation generate open-circuit voltage V = 0.8 V, short-circuit current I = 3.72mA/cm and fill factor FF = 0.5 under illumination of 100mW/cm.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.