Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами InGaAs, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Пономарев Д.С.1
  • Хабибуллин Р.А.2
  • Ячменев А.Э.3
  • Мальцев П.П.4
  • Грехов М.М.5
  • Иляков И.Е.6
  • Шишкин Б.В.7
  • Ахмеджанов Р.А.8
стр. 535-539
Платно
1 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия., 2 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия., 3 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия., 4 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия., 5 Национальный исследовательский ядерный университет „МИФИ“, 6 Институт прикладной физики РАН, 7 Институт прикладной физики РАН, 8 Институт прикладной физики РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
Аннотация:
Приведены результаты исследований генерации терагерцового (ТГц) излучения с помощью спектроскопии с временным разрешением в структуре с фотопроводящим слоем InGaAs. Исследуемая структура, выращенная методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs с помощью метаморфного буфера, позволяет генерировать ТГц излучение с широким спектром частот (вплоть до 6ТГц). Это связано с дополнительным вкладом фотовольтаического эффекта Дембера в генерацию ТГц излучения. Измеренная эффективность оптико-терагерцового преобразования в такой структуре составляет ~ 10 при достаточно малом оптическом флюенсе ~ 40мкДж/см, что почти на два порядка выше, чем в „низкотемпературном“ GaAs.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.