Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Особенности вольт-фарадных характеристик МДП-структуры Cu-SiO2-p-InSb, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Алиев Р.А.1
  • Гаджиев Г.М.2
  • Гаджиалиев М.М.3
  • Исмаилов А.М.4
  • Пирмагомедов З.Ш.5
стр. 383-385
Платно
1 Институт океанологии им. П.П. Ширшова Российской Академии наук, Москва, 2 Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра Российской академии наук, 3 Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра Российской академии наук, 4 Дагестанский государственный университет, Махачкала, 5 Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра Российской академии наук
Аннотация:
Измерены вольт-фарадные характеристики и проводимость МДП-структур на основе InSb при разных частотах измерительного сигнала с целью изучения влияния условий технологического синтеза на емкостные свойства данных структур. Обсуждается влияние положительного, встроенного в диэлектрик, заряда на измеренные характеристики образца, которое проявляется в виде резкого ”переключения“ емкости при смене полярности слабополевого внешнего воздействия (E < 106 В/см).

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.