Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Галиев Г.Б.1
  • Грехов М.М.2
  • Китаева Г.Х.3
  • Климов Е.А.4
  • Клочков А.Н.5
  • Коленцова О.С.6
  • Корниенко В.В.7
  • Кузнецов К.А.8
  • Мальцев П.П.9
  • Пушкарев С.С.10
стр. 322-330
Платно
1 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия., 2 Национальный исследовательский ядерный университет „МИФИ“, 3 МГУ им. Ломоносова, 4 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия., 5 Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, Москва, 6 Национальный исследовательский ядерный университет ”МИФИ“ , 7 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 8 ОАО “Иркутский научно-исследовательский и конструкторский институт химического и нефтяного машиностроения”, 9 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия., 10 Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, Москва
Аннотация:
Методом терагерцевой спектроскопии временно?го разрешения исследованы спектр и волновые формы импульсов широкополосного терагерцевого излучения, генерируемых низкотемпературными эпитаксиальнымипленками In0.53Ga0.47As при накачке фемтосекундными лазерными импульсами. Пленки In0.53Ga0.47As были получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 200?C и при различных давлениях мышьяка на подложках InP с ориентацией (100) и впервые на подложках InP с ориентацией (411)A. Исследованы морфология поверхности образцов с помощью атомно-силовой микроскопии и их структурное совершенство с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Обнаружено, что амплитуда терагерцевого излучения от слоев LT-InGaAs на подложках InP (411)A в 3 5 раз больше, чем от таких же слоев на подложках InP (100).

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.