Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Атомная конфигурация и зарядовое состояние водорода на дислокациях в кремнии, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Высотский Н.В.1
  • Лошаченко А.С.2
  • Вывенко О.Ф.3
стр. 305-310
Платно
1 Санкт-Петербургский государственный университет, 2 Санкт-Петербургский государственный университет, 3 Междисциплинарный ресурсный центр по направлению “Нанотехнологии”,
Аннотация:
Исследовалось влияние введения водорода на колебательные спектры и электрофизические свойства образцов с дислокационными сетками (ДС) на интерфейсе сращенных пластин кремния. Для увеличения чувствительности измерений и выделения сигнала ДС в спектрах комбинационного рассеяния использовались образцы в виде стандартных тонких фольг, применяемых в просвечивающей электронной микроскопии. В образцах с дислокационными сетками был зарегистрирован пик комбинационного рассеяния 2000 см-1, который сохранялся после отжига при T = 500?C и не наблюдался в контрольных образцах. Сопоставление экспериментальных данных с имеющимися теоретическими расчетами позволило приписать обнаруженный пик к H 0 в центре Si-Si связи, который является метастабильным в идеальной решетке, но стабилизируется в окрестности дислокации.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.