Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Ситников С.В.1
  • Косолобов С.С.2
  • Латышев А.В.3
стр. 212-215
Платно
1 Воронежский государственный технический университет, 2 Новосибирский государственный университет, ул. Пирогова, 2, Новосибирск, 630090, Россия, 3 105005 Москва, ул. Радио, 10а, МГОУ
Аннотация:
Методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии при высокотемпературном эпитаксиальном росте проведены исследования процесса зарождения двумерных островоков на ультраплоской поверхности Si(111). В интервале температур 900 1180?C экспериментально измерен критический размер ( D crit) террасы, при достижении которого в центре зарождается двумерный островок,critпри различных потоках кремния на поверхность. Обнаружено, что D 2 степенным образом зависит от±частоты зарождения островков с показателем степени ? = (0.9 0.05) во всем измеренном температурном интервале. Установлено, что кинетика зародышеобразования определяется диффузией адсорбированных атомов кремния вплоть до температуры 1180?C, а минимальный критический размер зародыша соответствует 12 атомам кремния.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.