Статья «Спектры электроотражения множественных квантовых ям InGaN/GaN, помещенных в неоднородное электрическое поле p-n-перехода, "Физика и техника полупроводников"»

В спектрах электроотражения гетероструктуры GaN/InGaN/AlGaN обнаружена линия E = 2.77 эВ шириной ? = 88 мэВ, связанная с межзонными переходами в области множественных квантовых ям активной области. При уменьшении амплитуды модулирующего напряжения от 2.9 до 0.4 В наблюдается расщепление этой линии на две с энергиями E 1 = 2.55 эВ и E 2 = 2.75 эВ, ширины которых составляют ?1 = 66 мэВ и ?2 = 74 мэВ соответственно. Это указывает на то, что эти линии обусловлены межзонными переходами в отдельных квантовых ямах активной области. Различие энергий межзонных переходов E 1 и E 2 в идентичных квантовых ямах активной области связано с тем, что квантовые ямы помещены в неоднородное электрическое поле. В работе оценивались модули напряженности электрических полей в отдельных квантовых ямах активной области гетероструктуры. Их значения составили 1.6 и 2.2 МВ/см.