Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4H-SiC, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Юрков С.Н.1
  • Мнацаканов Т.Т.2
  • Левинштейн М.Е.3
  • Тандоев А.Г.4
  • Palmour J.W.5
стр. 234-239
Платно
1 Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, , 2 Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, , 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 4 Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, , 5 Wolfspeed, A Cree company
Аннотация:
Рассмотрено влияние неодномерных эффектов, обусловленных растеканием тока управления в базовом слое, на величину отпирающего тока управления тиристоров на основе 4 H -SiC. Показано, что реализующийся в 4 H -SiC тиристорах новый механизм переключения приводит к зависимости отпирающего тока управления от параметров тиристора, качественно отличающейся от соответствующей зависимости в традиционных кремниевых тиристорах.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.