Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Выращивание и свойства изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Алфимова Д.Л.1
  • Лунин Л.С.2
  • Лунина М.Л.3
  • Арустамян ДА.4
  • Казакова А.Е.5
  • Чеботарев С.Н.6
стр. 1426-1433
Платно
1 Южный научный центр Российской академии наук, 2 Южный научный центр Российской академии наук, 3 Южный научный центр Российской академии наук, 4 Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, 5 Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, 6 Южный научный центр Российской академии наук
Аннотация:
Обсуждаются результаты выращивания изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs. Исследованы состав, кристаллическое качество и люминесцентные свойства гетероструктур.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.