Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Vertical transport in type II heterojunctions with composite InAs/GaSb/AlSb quantum wells in high magnetic field, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Михайлова М.П.1
  • Березовец В.А.2
  • Парфеньев Р.В.3
  • Данилов Л.В.4
  • Сафончик М.О.5
  • Hospodkov? A.6
  • Pangrac J.7
  • Hulicius E.8
стр. 1393-1399
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук; International Laboratory of High Magnetic Fileds and Low Temperatures, 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 4 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 5 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 6 Institute of Physics, CAS, v.v.i, 7 Institute of Physics, CAS, v.v.i, 8 Institute of Physics, CAS, v.v.i
Аннотация:
Вертикальный транспорт исследован в гетеропереходах II типа с двухбарьерной квантовой ямой AlSb/InAs/GaSb/AlSb, выращенной методом МОГФЭ (MOVPE) на подложке w-InAs(100), в квантующих магнитных полях до B = 14 Тл при низких температурах, T = 1.5 и 4.2 K. Ширина квантовых ям выбиралась из условия получения инвертированной зонной структуры. Измерения осцилляций Шубникова-де- Гааза проводились при двух ориентациях магнитного поля (перпендикулярной и параллельной) относительно плоскости структуры. Установлено, что проводимость в исследуемой структуре осуществлялась как трехмерными (3D) электронами подложки, так и двумерными (2D) электронами квантовой ямы InAs в условиях квантового предела для объемных электронов (B > 5Тл). Определены концентрации электронов в подложке и в квантовой яме InAs, а также g-фактор для трехмерных носителей из спинового расщепления нулевого уровня Ландау. Показано, что максимумы кондактанса в магнитном поле, перпендикулярном плоскости структуры и параллельном току через структуру, в полях B > 9Тл соответствуют резонансному туннелированию 3D электронов из подложки-эмиттера в квантовую яму InAs через 2D электронные состояния уровней Ландау.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.