Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Отделение слабо легированных пленок и-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Вороненков В.В.1
  • Вирко М.В.2
  • Коготков В.С.3
  • Леонидов А.А.4
  • Пинчук А.В.5
  • Зубрилов А.С.6
  • Горбунов Р.И.7
  • Латышев Ф.Е.8
  • Бочкарева Н.И.9
  • Леликов Ю.С.10
  • Тархин Д.В.11
  • Смирнов А.Н.12
  • Давыдов В.Ю.13
  • Шеремет И.А.14
  • Шретер Ю.Г.15
стр. 116-123
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 2 Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 3 Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 4 Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 5 ГБУЗ НИИ СП им. Н.В. Склифосовского ДЗМ, 129090, Москва, Б. Сухаревская пл., д. 3, 6 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 7 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 8 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 9 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 10 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 11 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 12 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Биологический факультет, 13 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 14 Финансовый университет при правительстве Российской Федерации, 15 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
  • SDI: 007.001.0015-3222.2017.051.001.21
Аннотация:
Сильное поглощение излучения СО-лазера в сапфире использовано для отделения пленок GaN от темплейтов GaN на сапфире. Лазерное сканирование сапфировой подложки приводило к термической диссоциации GaN на интерфейсе GaN/сапфир и отделению пленки GaN от сапфира. Пороговая плотность энергии лазерного излучения, при которой начиналась диссоциация и-GaN, составила 1.6 ± 0.5Дж/см. Изучено распределение механических напряжений и поверхностная морфология пленок GaN и сапфировых подложек до и после лазерного отделения методами рамановской спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и растровой электронной микроскопии. Образец вертикального диода Шоттки с величиной плотности прямого тока 100А/см при напряжении 2B и максимальным обратным напряжением 150В изготовлен на основе отделенной пленки и-GaN толщиной 9 мкм.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.