Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Диффузия межузельного магния в бездислокационном кремнии, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Шуман В.Б.1
  • Лаврентьев А.А.2
  • Астров Ю.А.3
  • Лодыгин А.Н.4
  • Порцель Л.М.5
стр. 5-7
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 2 Донской государственный технический университет, 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 4 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 5 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
  • SDI: 007.001.0015-3222.2017.051.001.1
Аннотация:
Исследовалась диффузия примеси магния в пластины монокристаллического бездислокационного дырочного кремния в диапазоне температур T = 600-800° C. Источником диффузии служил слой, имплантированный магнием с энергией ионов 150 кэВ при дозах 5 • 10 и 2 • 10см. Коэффициент диффузии межузельных донорных центров магния D при некоторой заданной T пределялся путем измерения глубины р-n-перехода, который формировался в образцах, прошедших термообработку в течение времени t. В результате исследований впервые определена зависимость D (T). Данные свидетельствуют, что диффузия осуществляется преимущественно по межузельному механизму

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.