Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «СИСТЕМЫ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ. Часть 1. Эволюция систем металлизации в процессе развития планарной КМОП технологии, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Киреев В.Ю.1
  • Костюков Д.А.2
  • Одиноков В.В.3
стр. 32-51
Платно
1 АО «АО НИИТМ», 2 АО «АО НИИТМ», 3 АО «АО НИИТМ»
  • SDI: 007.001.2410-9932.2023.000.002.5
Ключевые слова:
  • быстродействие и производительность ИМС
  • технологическая норма
  • уровень технологии производства кристаллов ИМС
  • системы металлизации ИМС на основе алюминиевых сплавов и меди
  • диэлектрические слои для межуровневой изоляции систем металлизации
  • характеристики слоев на плоских и рельефных подложках
  • аспектное отношение
  • равномерность и конформность слоев и пленок
  • пленки
  • осаждаемые в процессах магнетронного распыления и требования к ним
Аннотация:
Рассмотрен комплекс задач, связанный с формированием систем металлизации интегральных микросхем (ИМС). Показано, что быстродействие логических ИМС начинает определяться системой металлизации на основе алюминиевых сплавов с системой изоляции на основе SiO для уровня технологии (УТ) 180 нм, а при использовании системы металлизации на основе меди с системой изоляции на основе диэлектрика с низкой диэлектрической проницаемостью, равной 2,0, – для УТ 90 нм. Приведены виды, элементы и параметры многоуровневых систем металлизации на базе алюминиевых сплавов и меди, а также используемых в них материалов и характеристик слоев систем изоляции, по мере уменьшения технологической нормы (минимального размера элементов) ИМС. Перечислены основные характеристики пленок, осаждаемых на плоские и рельефные подложки, и проанализированы проблемы их достоверного определения и практической реализации. Показано, что в настоящее время в системах металлизации процессы магнетронного распыления применяются для осаждения пленок алюминиевых сплавов, пленок адгезионно барьерных структур Ti/TiN и Ta/TaN, а также пленок TiN, используемых в качестве антиотражающих покрытий. Сформулированы требования к процессам осаждения методом магнетронного распыления всех пленок, применяемых в системах металлизации.
Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к статье.