Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ РАДИКАЛЬНОЕ ISSG ОКИСЛЕНИЕ КРЕМНИЯ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Черняев М.В.1
  • Горохов С.А.2
  • Патюков С.И.3
  • Резванов А.А.4
стр. 62-68
Платно
1 АО «НИИМЭ», 2 АО «НИИМЭ»; МФТИ (НИУ), 3 АО «НИИМЭ», 4 АО «НИИМЭ»; МФТИ (НИУ)
Ключевые слова:
  • радикальное окисление
  • кинетика роста оксида кремния
  • экспоненциальный закон роста
  • самоограничение толщины оксида
Аннотация:
Исследована кинетика радикального окисления кремниевой пластины в системе индивидуальной обработки при проведении процесса низкотемпературного окисления (500…800 °С) с генерацией пара у поверхности пластины (in situ steam-generation – ISSG). Для определения констант радикального окисения использовались полученные зависимости толщины оксида от времени при различной температуре и фиксированных остальных параметрах технологического процесса. Показано, что скорость низкотемпературного радикального окисления соответствует экспоненциальному закону роста. Самоограничение толщины оксида, наблюдаемое при температуре ниже 700 °С, имеет большое практическое значение для формирования тонкого диэлектрика толщиной менее 1 нм, так как позволяет подбирать необходимую толщину оксида, изменяя температуру, а не время процесса.
Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к статье.