Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Труды Физико-технологического института. T. 28: Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника : физика, технология, диагностика и моделирование

Авторы

Коллектив авторов


* - цена актуальна только для физических лиц
В т.ч. НДС 20%

Форматы, доступные для скачивания после покупки

pdf
  • Год: 2019
  • Издательство: ФГУП «Издательство «Наука»
  • Рубрика: Физика
  • Объем страниц: 151
  • SDI: 007.001.978-5-02-040185-3
  • ISBN: 978-5-02-040185-3
  • DOI: 10.7868/S0868712919280012
Аннотация:
Том 28 Трудов ФТИАН посвящен актуальным проблемам технологии микро- и наноэлектроники. Сборник включает в себя статьи, в которых представлены последние результаты сотрудников института по физике и моделированию процессов функционирования и технологии изготовления перспективных элементов современной микро- и наноэлектроники. Рассмотренные проблемы относятся, в частности, к разработке физических и математических моделей для эффективного исследования прочностной надежности многослойной наноэлектронной металлизации при больших плотностях тока, приводящих к сильной ионной электромиграции, анализа особенностей процессов, протекающих в нанотранзисторных структурах, а также возможностей совершенствования и оптимизации технологических процессов формирования наноструктурных элементов, в том числе и перспективных для создания полномасштабных твердотельных квантовых компьютеров. Для специалистов в области микро- и наноэлектроники, аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.
The next volume 28 of Proceedings of Valiev IPT of RAS (FTIAN) is devoted to urgent problems of micro- and nanoelectronics technology. The topics covered include the articles which present the last results ot the institute scientists on physics and modeling of the processes of operation and fabrication technology of element base for up-to-date or promising micro- and nanoelectronics are presented. In particular, the problems considered refer to development of physical and mathematical models necessary for effective research of the strength reliability of manylayer nanoelectronic interconnections at high current densities leading to the strong ion electromigration, for analyzing the peculiarities of the processes taking place in nanotransistor structures, as well as possibilities for development and optimization of the technological processes of fabrication of nanostructural elements, including ones that are promising for creation of a fullscale solid-state quantum computer. For specialists in the field of micro- and nanoelectronics and undergraduate and postgraduate students of the appropriate disciplines.

* - цена актуальна только для физических лиц
В т.ч. НДС 20%